●入数：1袋（25個入）●チャンネルタイプ：N, P●最大連続ドレイン電流：6 A （Nチャンネル, Pチャンネル）●最大ドレイン-ソース間電圧：45 （Nチャンネル） V、45 （Pチャンネル） V
6,700 円
●入数：1袋（25個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：5 A●最大ドレイン-ソース間電圧：100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：205 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2.5V●最低ゲ
5,175 円
●入数：1袋（10個入）●チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：14 A●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：10.5 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2.5V●最低
5,881 円
●入数：1袋（10個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：27 A （Nチャンネル）, 80 A （Nチャンネル）●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：13.
4,772 円
●入数：1袋（50個入）●チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：81 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2.5V●最低ゲ
5,414 円
●入数：1袋（2個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：20 A●最大ドレイン-ソース間電圧：650 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：200 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲート
1,739 円
●入数：1袋（5個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：15 A●最大ドレイン-ソース間電圧：650 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：310 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲート
3,463 円
●入数：1袋（10個入）●チャンネルタイプ：N, P●最大連続ドレイン電流：8.5 A （Nチャンネル）, 8.5 A （Pチャンネル）●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V （Nチャンネル）, 60
5,629 円
●PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor●入数：1袋（5個入）●チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：110 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60
5,024 円
●NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor●入数：1袋（10個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：4.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧
1,701 円
●PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor●入数：1袋（5個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：2 A●最大ドレ
630 円
●入数：1袋（10個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：7 A●最大ドレイン-ソース間電圧：600 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：620 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲート
5,238 円
●入数：1袋（25個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：15 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：51 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：3V●最低ゲートし
6,700 円
●入数：1袋（25個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：7 A●最大ドレイン-ソース間電圧：45 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：35 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2.5V●最低ゲート
6,246 円
●入数：1袋（50個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：3 A●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：109 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：1.5V●最低ゲー
5,566 円
●NチャンネルMDmesh SuperMESH、700 → 1200 V、STMicroelectronics●入数：1袋（2個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：5.2 A●最大ドレイ
1,487 円
●PチャンネルパワーMOSFET40→55V、Infineon●InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、
5,326 円
●NチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics●広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。●入数：1袋（5個入）●
2,972 円
●NチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics●広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。●入数：1袋（5個入）●
2,317 円
●PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor●入数：1袋（25個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：5.6 A●最
4,961 円
●入数：1袋（20個入）●チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：7 A●最大ドレイン-ソース間電圧：12 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：14 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：1V●最低ゲートしき
4,068 円
●入数：1袋（25個入）●チャンネルタイプ：N, P●最大連続ドレイン電流：1.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧：20 V （Pチャンネル）、30 V （Nチャンネル）●最大ドレイン-ソース間抵抗：
3,564 円
●NチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics●広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。●入数：1袋（5個入）●
2,644 円
●強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor●強化モードの電界効果トランジスタ（FET）は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造さ
2,254 円
●入数：1袋（5個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：80 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：7.7 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2.5V●最低ゲー
3,552 円
●NチャンネルMOSFET、40→90V、DiodesInc●入数：1袋（200個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：310 mA●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソ
3,060 円
●入数：1袋（50個入）●チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：7.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：31 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2.5V●最低ゲ
9,652 円
●WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFET●Wolfspeed Z-Fet、C2M、C3MシリコンカーバイドパワーMOSFET Creeのパワー部門であるWolfspeedの次世代SiC
2,808 円
●強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor●強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています
1,260 円
●PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor●入数：1袋（5個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：1.6 A●最大
1,764 円